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半导体产业链的涨价潮愈演愈烈。
今日(6月29日) ,A股功率半导体板块全线大涨,截至收盘,银河微电录得20cm涨停,宏伟科技、扬杰科技大涨超10% ,华润微涨超9%,新洁能涨超8%。据最新消息,全球近20家模拟及功率半导体企业即将于7月1日启动新一轮涨价。
与此同时 ,韩国即将开始史上最大规模扩产计划 。当地时间6月29日,韩国总统李在明宣布“三大超级项目”:三星电子与SK海力士将在西南部合建四座芯片工厂,投资规模约800万亿韩元 ,目标五年内DRAM产能翻倍;AI数据中心领域投入更高达1000万亿韩元。
涨价潮来袭
6月29日,据21财经报道,全球近20家模拟及功率半导体企业即将于7月1日启动新一轮涨价 ,年内已呈现多批次阶梯式调价特征。不少厂商称当前在手订单饱满,产能能见度显著提升 。
分析指出,本轮涨价的核心动力 ,源于晶圆代工和原材料涨价带来的成本压力,与AI数据中心建设带来的功率芯片需求激增形成共振。市场份额将向具备IDM全链条能力或与上游深度绑定、且涉足高景气赛道的头部芯片企业集中。
据不完全统计,全球已有近20家模拟及功率半导体企业官宣7月1日调价 。
据英飞凌的涨价函,由于能源、原材料及运输服务等价格不断攀升 ,其在成本端面临巨大压力,因此计划对旗下部分产品售价实施调整。而这已是英飞凌年内第二次提价。
与此同时,多家本土厂商也纷纷宣布涨价 。
国内功率半导体龙头扬杰科技的涨价函显示 ,公司自7月1日起对全系列产品价格进行调整,调整幅度为10%—15%。扬杰科技向媒体解释,此番涨价能顺利向下游传导 ,还在于当前市场需求的高景气。
宏微科技(维权)在6月26日的投资者交流会中表示,公司已于今年3月针对IGBT 、MOSFET相关产品完成首轮调价,近期已启动第二轮产品涨价 ,调价产品涵盖IGBT单管及模块、整流桥和MOSFET器件 。
华润微近期也启动了第二轮涨价,该公司此前在2月1日率先启动了全系列产品涨价,上调幅度为10%。
士兰微、新洁能 、捷捷微电、立昂微等均已宣布上调全线或部分功率器件产品价格 ,提价幅度普遍在10%至20%之间。
对于涨价的持续性,华润微管理层此前表示,公司将充分利用当前产能紧张带来的有利时机,持续推进谈判工作 ,以核心产品为重心,逐步扩大涨价的覆盖范围。
华润微相关人员透露,得益于AI领域的高景气度与“算电协同 ”效应 ,应用于光储及新兴领域的MOSFET、IGBT 、第三代半导体及模块等产品,均呈现快速增长态势 。公司当前产能与订单均处于饱满状态,待交订单规模持续攀升并创下新高。订单能见度最高达9个月 ,部分热门型号的待交订单周期已超过一年。
史诗级扩产
当前,全球半导体产业链正处于新一轮上行周期,全球芯片巨头纷纷开启大规模扩产 。
6月29日 ,韩国产业通商资源部长官金正官表示,计划投资800万亿韩元(约5180亿美元)在韩国西南部建设四座半导体制造厂,预计在五年内将DRAM生产能力翻倍 ,预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
金正官指出,韩国计划加快西南地区的审批和建设,以迅速扩大存储芯片产能。韩国中部地区将重点发展先进封装技术,而东南部地区将发展成为半导体材料、零部件和设备以及下一代功率芯片的中心 。
三星电子会长李在镕和SK集团会长崔泰源在会上共同宣布一项在未来10年内总额高达2000万亿韩元(约1.3万亿美元)的跨时代本土投资计划。其核心是打破传统的首都圈集中模式 ,向以全罗道为中心的西南地区进行大举投资。
其中,三星电子计划将光州原空军基地选为半导体前道工序晶圆厂(Fab)的核心选址,预计建设4-5座晶圆厂;SK海力士也将在光州打造4-5座前道晶圆厂 。仅在半导体新设项目上 ,两家巨头的投资额预计将各达600万亿韩元,远超此前京畿道龙仁集群的规模。
东吴证券表示,当前SK海力士全力推进扩产 ,规划五年内晶圆产能翻倍、2034年产能扩至三倍,2026年资本支出将大幅高于去年,大幅拉升了上游设备采购需求 ,半导体设备迎来卖方市场。存储扩产有望带动半导体设备放量,看好相关设备商和零部件的出海机遇,同时国产化替代进程加速 ,设备需求有望放量 。
华泰证券指出,伴随存储企业扩产,全球半导体材料市场有望迎来快速增长。此外,当前我国半导体材料国产化率整体仍较低 ,伴随自主可控要求提高 、国内企业产品竞争力提高,国产化率有望提高。
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